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关于发售超结功率（Superjunction） MOSFET“Super J

发布时间：2016/08/01 点击量：

富士电机株式会社，富士电机（中国）有限公司正式发售功率半导体的最新产品——超结功率※MOSFET“Super J MOS® S2/S2FD系列”，特此通知。

※一种MOSFET（场效应晶体管）结构。同传统的平面式结构相比，可降低单位面积的电阻。

1．背景
功率半导体是实现节能或稳定供电的关键器件，多被嵌入UPS、功率调节器等工业设备、通讯设备及家电产品等各类电气产品中。
近年来，随着全球能源需求的不断扩大，对节能的要求也日益提高。据预测，能够减少搭载设备耗电的超结功率MOSFET在2016年将达到1200亿日元的市场规模，并将以14%的速度逐年递增（出处：IMS）。
此次，我公司正式发售一款同以往的产品相比能够减少电流阻碍，从而实现节能的最新产品“Super J MOS® S2/S2FDx系列”。

2．产品特点
（1）降低通电时的电阻，实现搭载设备节能
和以往的产品（S1系列）相比，S2系列在相同芯片面积下通电时的电阻降低近25%。这将有助于实现搭载设备的节能，节约用电成本。

（2）实现内置二极管的快速恢复，减少开关损耗
S2FD系列的内置二极管开关所需时间（恢复时间）较S2系列缩短了近50%。在使用内置二极管的变频器电路等产品中应用本产品，不仅可以减少开关操作时的电能损耗，还能控制开关时瞬间产生的过电压（电涌电压）。这些特点将有助于实现搭载设备的节能，提高产品的可靠性。

3．产品规格

产品系列	内置二极管	额定电压	通态电阻	额定电流
S2系列	普通	600V	380mΩ-25mΩ	8A-96A
S2FD系列	快速	600V	170mΩ-27mΩ	18A-96A

4．应用对象
UPS、功率调节器、EV用快速充电器、服务器或通信基站、LED照明等

5．发售时间
即日

6．产品相关问题的咨询处
富士电机（中国）有限公司・半导体营业本部・半导体营业部
☎+86-21-5496-1177

【参考资料】产品阵容以及主要规格　
Super J MOS ® S2系列

额定电压 VDS (V)	通态电阻 Ron(mΩ)	额定电流 ID (A)	封装
额定电压 VDS (V)	通态电阻 Ron(mΩ)	额定电流 ID (A)	TO-220	TO-220F	TO-3P	TO-247
600	380	8.1	FMP60N380S2	FMV60N380S2
	280	10.4	FMP60N280S2	FMV60N280S2	FMH60N280S2
	190	15.5	FMP60N190S2	FMV60N190S2	FMH60N190S2	FMW60N190S2
	160	17.9	FMP60N160S2	FMV60N160S2		FMW60N160S2
	125	22.7	FMP60N125S2	FMV60N125S2		FMW60N125S2
	99	29.2	FMP60N099S2	FMV60N099S2		FMW60N099S2
	88	32.8	FMP60N088S2	FMV60N088S2		FMW60N088S2
	79	37.1	FMP60N079S2	FMV60N079S2		FMW60N079S2
	70	39.4		FMV60N070S2		FMW60N070S2
	55	49.9				FMW60N055S2
	40	66.2				FMW60N040S2
	25	95.5				FMW60N025S2

Super J MOS ® S2FD系列

额定电压 VDS (V)	通态电阻Ron(mΩ)	额定电流 ID (A)	封装
额定电压 VDS (V)	通态电阻Ron(mΩ)	额定电流 ID (A)	TO-220	TO-220F	TO-247
600	170	17.9	FMP60N170S2FD	FMV60N170S2FD	FMW60N170S2FD
	133	22.7	FMP60N133S2FD	FMV60N133S2FD	FMW60N133S2FD
	105	29.2	FMP60N105S2FD	FMV60N105S2FD	FMW60N105S2FD
	94	32.8	FMP60N094S2FD	FMV60N094S2FD	FMW60N094S2FD
	84	37.1	FMP60N084S2FD	FMV60N084S2FD	FMW60N084S2FD
	75	39.4		FMV60N075S2FD	FMW60N075S2FD
	59	49.9			FMW60N059S2FD
	43	66.2			FMW60N043S2FD
	27	95.5			FMW60N027S2FD

Super J MOS®为富士电机的注册商标。

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